WESTERN DIGITAL CRU Drive w/LFF 480GB

Tuotetiedot

Tuotekoodi 1EX2030
Valmistaja WESTERN DIGITAL
Tämä tuote on arkivoitu eikä ole enää myynnissä. Voit selata muita samankaltaisia tuotteita täältä

Kuvaus

Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17
Laajennus & Liitäntä
Liitännät 1 x SAS 12 Gb/s
Yhteensopiva paikka 2.5″ SFF
Virransyöttö
Virrankulutus 14 watt (tyypillinen)

3.2 watt (joutokäynnillä)

Valmistajan takuu
Huolto ja tuki Rajoitettu takuu – 5 vuotta
Ympäristötiedot
Vähimmäiskäyttölämpötila 0 °C
Enimmäiskäyttölämpötila 75 °C
Vähimmäismivarastointilämpötila -40 °C
Enimmäisvarastointilämpötila 85 °C
Yleistä
Laitteen tyyppi Puolijohdeasema – sisäinen
Muistin koko 480 GB
NAND flash-muistityyppi 3D triple-level cell (TLC)
Koko tai muoto 2.5″ SFF
Liitäntä SAS 12Gb/s
Ominaisuudet Edistynyt virtahävikin tiedonhallinta, Online Transaction Processing (OLTP), software-defined storage (SDS)
Leveys 70.1 mm
Syvyys 100.45 mm
Korkeus 15 mm
Paino 175 g
Suorituskyky
Drive Writes Per Day (DWPD) 1
Puolijohdeaseman kestokyky 940 TB
Aseman siirtonopeus 1.2 GBps (ulkoinen)
Sisäinen tiedonsiirtonopeus 2150 MBps (luku) / 2120 MBps (kirjoitus)
Maximum 4KB Random Write 100000 IOPS
4KB enimmäissatunnaistoisto 190000 IOPS
Luotettavuus
Keskimääräinen vikaväli (MTBF) 2,500,000 tuntia
24×7 käyttö Kyllä
Ei-korjattavissa olevat virheet 1 per 10^17

Lisätiedot

Paino 1 kg (kilogramma)
Valmistaja

Tuotekoodi

1EX2030

Arviot

Tuotearvioita ei vielä ole.

Kirjoita ensimmäinen arvio tuotteelle “WESTERN DIGITAL CRU Drive w/LFF 480GB”

Sähköpostiosoitettasi ei julkaista. Pakolliset kentät on merkitty *

© Copyright. Data-Systems 2024. All Rights Reserved. | Toteutus: LevelUp